OmniVision 推出第二代背面照度像素技术

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领先的高级数字成像解决方案开发商OmniVision Technologies日前宣布推出世界第一款 1.1 微米背面照度像素技术。这套全新的 OmniBSI-2TM 像素架构可以为新的成像解决方案提供优越的成像质量，对低照度更为敏感。这个架构将 OmniVision 的像素产品发展方向延伸至亚微米水平，同时也将带动数字成像技术中的微型化发展。

    OminiVision 全球行销副总裁 Bruce Weyer 表示：“OmniBSI-2 让高解析度成像感应器解决方案产品的外观尺寸不断缩小，凭借较小的 z 高度可制造超薄产品。”他还说：“OmniBSI-2 还将数字成像市场向前推进，因为它可以改善成像质量，增强低照度的性能，由此改善用户在使用影像应用程序时的体验。OmniBSI-2 技术还可以应用在大像素成像产品的设计上，从而获得更佳性能，超越当前的 BSI 和 FSI 成像传感器。”
    OmniBSI-2 是 OmniVision 的第二代 BSI 技术，也是第一个利用了 65 纳米设计规则，以 300 毫米铜材料工艺完成的像素技术。这项技术是OmniVision与战略生产合作伙伴台积电协作完成的。在结合了特制的 65 纳米设计规则和新的生产工艺模块之后，这个 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技术达到了行业领先的低照度敏感度，同时还可以大量改善暗电流和最大阱容。OmniBSI-2 特制的像素设计规则可以取得更优越的像素排列、更好的像素隔离，并显著降低像素串扰。这些优势大大超越了第一代 OmniBSITM 技术，可以产生更好的图像质量、增强图像的色彩并改善相机的性能。
    OmniVision 的工艺工程部门副总裁 Howard Rhodes 博士表示：“将新款的 1.1 微米 OmniBSI-2 像素技术与当前的 1.75 微米 FSI 架构相比，前者的性能远远超越后者；同时前者还与当前正在量产的 1.4 微米BSI技术相当。在我们向 1.1 微米 BSI 像素结构转移的过程中，必须使用台积电最新的 300 毫米铜材料工艺，这个工艺可以显著改善设计规则，使用更多的先进工艺工具，因此获得更严谨的工艺控制，减少缺陷密度。要获得这些成功，我们与台积电的研发团队紧密地合作，开发了多个新工艺模块，以获得在光电性能上的改善。我们还利用了我们与合资伙伴 VisEra Technologies 的合作关系，建立了 300 毫米彩色滤光片的生产能力。”
    OmniVision 的 OmniBSI-2 新技术在 2010 年 2 月 14 日到 18 日于西班牙巴塞罗那举办的移动通信世界大会正式推出。