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CMOS耐高温保护膜贴附感光芯片sensor表面,经过reflow温度为280度,10min后将耐高温保护膜撕起,在40倍率的放大镜下观察sensor表面无残胶和白色颗粒状得污染。% _1 r$ }" `; X$ B- v& @
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; e' R( E& L1 J( e6 |; a一、CMOS、CCD芯片保护:PI耐热膜矽胶,适用于CMOS封装厂。
( \6 y& [9 z1 B: f% c; M1、用于保护CMOS芯片,过SMT 280度不留残胶
! w5 P0 g; l2 d5 V1 G2 ]1 i) A2、低粘度,280度高温能轻易撕下保护膜,不留残胶8 C* q; c) s9 f( [) ~$ E" y7 ^0 h
3、可贴附于IR Glass表面近高温锡炉,于制程中保护镜头表面落尘与刮伤5 ?0 r9 o/ k+ Z; R; K
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东莞创玮新材料科技有限公司采用PI薄膜新开发的保护胶带大大优于当今市场上其他类型的保护膜,尤其适用于各类关键但恶劣的应用环境,如晶圆、IC封装以及CMOS/CCD相机模组封装等。 : N8 u% _; x9 R5 [ y0 Q# _
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现有保护膜在化学和热敏感型应用中容易腐蚀与其接触的表面涂层,从而造成严重的性能损失。东莞创玮通过将API薄膜创新应用于保护膜,开发出具有耐化学性和耐热性,能在恶劣环境中保持优异品质和稳定性能的CMOS/CCD保护膜。API薄膜制成的保护膜不仅可以提供优秀的保护能力,同样能协助创玮的客户增强生产能力,提高收益率,尤其是在表面黏着制程中。 & w/ _ b. p5 _9 h' T+ r% q
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