摄像头模组芯片封装'CSP与COB'

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摄像头模组工艺
     影像模块的封装格式有COB(Chip On Board)和CSP(Chip Scale Package)两种。CSP封装的优点在于封装段由前段制程完成，CSP由于有玻璃覆盖，对洁净度要求较低、良率也较佳、制程设备成本较低、制程时间短，面临的挑战是光线穿透率不佳、价格较贵、高度Z Height较高、背光穿透鬼影现象。COB的优势包括封装成本相对较低、高度Z Height较低，缺点是对洁净度要求较高、需改善制程以提升良率、制程设备成本较高、制程时间长。

    COB制程凭借具有影像质量较佳及模块高度较低之优势，再加上品牌大厂逐渐要求模块厂商需以COB制程组装出货，未来COB制程将成为手机摄像头模块制程发展的一种趋势。目前中国大陆相关模组厂商几乎都是CSP制程组装出货，而外资及台湾众多厂商已积极投入COB生产制程。

     但是对于整个相机模组的成本来说是差不多的，CSP只是把部分工序交给了芯片厂商做，但是Sensor的价格相对来说就提高了。COB制成对于模组厂的要求比CSP要高的多，不仅是成本方面的，管理和质量方面要求也比较高。目前一条COB封装线的成本在100万美元作用，至于CSP只要普通的SMT线就能完成了。在产品的良品率方面，CSP良品率能达到95%以上，COB能达到85%以上。

       1994年9月三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1.1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP是一种封装外壳尺寸最接近籽芯(die)尺寸的小型封装，具有多种封装形式，其封装前后尺寸比为1：1.2。它减小了芯片封装外形的尺寸，做到裸芯片尺寸有多大，封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片的1.2倍，IC面积只比晶粒（Die）大不超过1.4倍。
      CSP Chip Scale Package封装的优点在于封装段由前段制程完成，制程设备成本较低、制程时间短，面临的挑战是光线穿透率不佳、价格较贵、高度较高、背光穿透鬼影现象。
     CSP有两种基本类型：一种是封装在固定的标准压点轨迹内的，另一种则是封装外壳尺寸随芯尺寸变化的。常见的CSP分类方式是根据封装外壳本身的结构来分的，它分为柔性CSP，刚性CSP，引线框架CSP和圆片级封装(WLP)。柔性CSP封装和圆片级封装的外形尺寸因籽芯尺寸的不同而不同；刚性CSP和引线框架CSP封装则受标准压点位置和大小制约。
     CSP封装适用于脚数少的IC，如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电（IA）、数字电视（DTV）、电子书（E-Book）、无线博客WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手机芯片、蓝芽（Bluetooth）等新兴产品中。

     COB Chip On Board 的优势包括封装成本相对较低、高度较低，缺点是制程设备成本较高、良品率变动大、制程时间长。

     用COB技术封装的裸芯片是芯片主体和I/O端子在晶体上方，在焊接时将此裸芯片用导电/导热胶粘接在PCB上，凝固后，用 Bonder 机将金属丝(Al或Au)在超声、热压的作用下，分别连接在芯片的I/O端子焊区和PCB相对应的焊盘上，测试合格后，再封上树脂胶。　　与其它封装技术相比，COB技术有以下优点：价格低廉；节约空间；工艺成熟。COB技术也存在不足，即需要另配焊接机及封装机，有时速度跟不上；PCB贴片对环境要求更为严格；无法维修等。

      个人理解；CSP与COB最大的差别就在于CSP封状芯片感光面被一层玻璃保护，COB没有相当于裸片。同一个镜头2种工艺作出来的模组高度有区别，COB要低点。在生产加工的时候，CSP对灰尘点要求相对低点 sensor表面如果还有灰尘点可以返工修复，COB则不可 。镜头对COB/CSP工艺一般可以通用，但是底座不能。CSP底座温度一般要求在80-90度左右 ，COB底座要求在200度左右。COB工艺环境要求比较高。CSP 要求很低。

liuhanqing

这些术语容易把人搞晕了。需了解芯片和封装结构，请脑补。

传统FSI：硅基（下）先做pixel（中）再做金属层（上），再加fliter和ulens。中间有感光区，pad只能在外围。
COB：好办，往外一邦。缺点：不能过回流焊。
单CSP就是Chip Scale Package的统称，放在CIS行业，一般指shellcase CSP。是上表面（光学面）覆保护玻璃（或其他光学材料），底部有基板（有引线）焊球。焊球通常在底面内阵列排列，也可归为BGA。可做（授权）的有台湾1，以色列1，苏州1，昆山1。主要做FSI，芯片设计与COB不同。算后道工艺吧。
但焊球位置在硅基还要下面，怎么办？ shellcase专利在这里，连到基板上再植球。

外观类似的有TSV，pad区直接向下穿过硅基再植球，芯片工艺是真进步，算前道了。
OptopacCSP：COB芯片，pad向上连到保护玻璃再走线到周边，向下植球。

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liuhanqing 发表于 2015-7-8 11:31
这些术语容易把人搞晕了。需了解芯片和封装结构，请脑补。

传统FSI：硅基（下）先做pixel（中）再做金属 ...

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hanxeme

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